Transistörlerin icadı ve seri üretiminden sonra, diyotlar ve transistörler gibi çeşitli katı hal yarı iletken bileşenleri yaygın olarak kullanıldı ve devrelerdeki vakum tüplerinin işlev ve rollerinin yerini aldı. 20. yüzyılın ortaları ve sonlarında yarı iletken üretim teknolojisindeki ilerleme, entegre devreleri mümkün kıldı. Bireysel ayrı elektronik bileşenlerin kullanıldığı manuel olarak monte edilen devrelerle karşılaştırıldığında, entegre devreler çok sayıda mikrokristalin tüpü küçük bir çip içine entegre edebilir ve bu büyük bir ilerlemedir. Entegre devrelerin ölçekli üretim kapasitesi, güvenilirliği ve modüler devre tasarımı yöntemi, ayrı transistörler yerine standart entegre devrelerin hızla benimsenmesini sağlar.
Entegre devrelerin ayrık transistörlere göre iki ana avantajı vardır: maliyet ve performans. Düşük maliyet, çipin aynı anda yalnızca bir transistör yapmak yerine tüm bileşenleri fotolitografi yoluyla bir birim olarak basmasından kaynaklanıyor. Yüksek performans, bileşenlerin küçük ve birbirine yakın olması nedeniyle daha az enerji tüketen bileşenlerin hızlı değiştirilmesinden kaynaklanmaktadır. 2006 yılında çip alanı birkaç milimetrekareden 350 mm²'ye (mm² başına) kadar değişiyordu ve bir milyon transistöre ulaşabiliyordu.
Entegre devrenin ilk prototipi 1958'de Jack Kilby tarafından tamamlandı; bipolar transistör, üç direnç ve bir kapasitörden oluşuyordu.
Bir çip üzerine entegre edilen mikroelektronik cihazların sayısına göre entegre devreler aşağıdaki kategorilere ayrılabilir:
Küçük ölçekli entegrasyon (SSI), 10'dan az mantık kapısına veya 100'den az transistöre sahiptir.
Orta ölçekli entegrasyonda (MSI) 11-100 mantık kapısı veya 101-1k transistör vardır.
Büyük ölçekli entegrasyonda (LSI) 101~1k mantık kapısı veya 1001~10k transistör vardır.
Çok büyük ölçekli entegrasyonda (VLSI) 1001-10k mantık kapısı veya 10001-100k transistör vardır.
ULSI'de 10001-1m lojik kapılar veya 100001-10m transistörler bulunmaktadır.
Glsi (tam İngilizce Adı: Giga ölçekli entegrasyon) 1000001'den fazla mantık kapısına veya 10000001'den fazla transistöre sahiptir.
